圖1中的六只晶閘管的陰極與陽極兩端都分別并聯(lián)有RC吸收元器件。 而這些整流元器件并聯(lián)RC吸收回路是常用的保護硅整流模塊辦法之一。RC吸收回路的作用有兩個，一是為了對電感性器件在電流瞬時接通或斷開時，它產(chǎn)生的自感電動勢進行鉗位。 第二個目的就是抑制整流電路中因為硅整流元器件的換向而變化的dV/dt所不能完全同步而引起的沖擊電流，使硅整流模塊損壞。所以RC吸收回路此時將硅整流模塊這些不利于它的能量以熱能量的方式消耗掉。 下圖2是硅整流模塊的順序示意圖。
除上述外，在硅整流模塊中串聯(lián)快速熔斷器也是保護它的另一種方式，一般都取硅整流電流的1.57倍來保護它。 對于過電壓產(chǎn)生的原因很多，但是主要的是在變壓器接通和斷開、電路中的感性負載開斷、快速熔斷器熔斷、以及外界閃電雷擊等。
由于整流電路中操作過電壓的產(chǎn)生原因和大小與許多因素有關(guān)系，但是從計算公式上來看，好像只和變壓器的容量、電壓大小有關(guān)系，實際上它還和操作次數(shù)、負載性質(zhì)有關(guān)系。一般來說，對于電阻性和電容性負載的整流電路，因為電壓大多不會很高，因此在RC吸收回路中選擇的電容容量取得較小，而對于電感性負載(例如直流馬達、電機勵磁等等)，此時電容容量取得值較大。
根據(jù)本人接觸過的大中型水輪發(fā)電機組中的經(jīng)驗教訓(xùn)總結(jié)出，吸收回路中的RC的取值，可以供提問者參考；硅整流模塊的電流在50A,取電阻值為100Ω，電容器容量取0.1uf。硅整流模塊電流為100A，取電阻值為20Ω，電容器容量取0.25uf。硅整流模塊電流在200A，取電阻值為10Ω，電容器容量取0.5uf。
這里給大家分享一個常用的RC吸收回路中的計算公式：
P>U/R+Xc*R(瓦)。
式中的U為阻容保護電路兩端電壓的有效值，若接在直流側(cè)應(yīng)為整流電壓中的交流分量的有效值(伏)；Xc為阻容保護的電容容抗，其計算公式為；Xc=1/2πfc(Ω歐姆)； f為阻容保護電路兩端電壓的頻率(Hz)；R為阻容保護的電阻(Ω)。 這里需要指出的是，對于整流變壓器低壓側(cè)有采用交流接觸器來分合整流模塊的電路，需要增加一套RC吸收回路在接觸器的輸入端子前與變壓器低壓側(cè)連接，此時RC吸收回路接成星形Y接法，而此時RC吸收回路中的電阻與電容容量和電阻的功率要比硅整流模塊中的大3倍，電容器容量取值也選擇的比較大，這里就不多說了。
對于大功率整流變壓器，在生產(chǎn)廠家出廠時都是由設(shè)計工程師們經(jīng)過精確計算，優(yōu)選出最好的結(jié)果。一句話，造成吸收回路中的電阻損壞還是操作過電壓而引起的。如何避免操作過電壓，完全取決操作者自己對電工學(xué)中的理論知識的理解和自己的DIY動手能力了。
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